SSD 2.5" SATA 256GB Timetec SD02 30TT25SATA-256GB N/D
- Rendimiento SATA III de Alta Eficiencia: Ofrece velocidades de lectura de hasta 550 MB/sy escritura de 500 MB/s, acelerando restrictivamente el arranque del sistema y la carga de programas.
- Tecnología Avanzada 3D NAND Flash: Optimiza el almacenamiento interno mediante celdas apiladas que incrementan la confiabilidad, la estabilidad operativa y la eficiencia energética.
- Diseño Delgado de 7 mm: Factor de forma estándar de 2,5 pulgadas ultra fino que se adapta perfectamente tanto a computadoras de escritorio como a portátiles delgados.
- Gestión Inteligente y Corrección ECC: Incorpora protocolos SMART, TRIM, recolección de basura, nivelación de desgaste y ECC para prolongar la vida útil del almacenamiento.
- Alta Resistencia y Confiabilidad Comprobada: Certificado con un índice de durabilidad de 200 TBW y un tiempo medio entre fallas (MTBF) de 1,500,000 horas de uso continuo.
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Categoría del producto de sitio web:
Marcas / Timetec, Almacenamiento / Disco SSD / Interno
Código Producto:
SYC-00026099
El disco de estado sólido Timetec SD02 de 256 GB con factor de forma de 2,5 pulgadas y 7 mm de grosor aprovecha eficientemente la interfaz SATA III para modernizar equipos de escritorio y ordenadores portátiles. Equipado con tecnología 3D NAND Flash, ofrece velocidades secuenciales de lectura y escritura de hasta 550 MB/sy 500 MB/s respectivamente, superando hasta 4 veces el rendimiento de los discos duros tradicionales. Integra además algoritmos inteligentes de gestión, soporte TRIM, SMART y código de corrección de errores (ECC) para garantizar una mayor durabilidad con una resistencia de hasta 200 TBW y un tiempo medio entre fallas de 1,5 millones de horas.
Especificaciones
| Marca y Modelo | Timetec SD02 30TT25SATA-256GB |
| Factor de forma SSD | 2,5 pulgadas (7 mm de espesor) |
| Interfaz | SATA III (6 Gb/s) |
| Capacidad | 256 GB |
| Tecnología de Memoria | Memoria flash NAND 3D |
| Velocidad de Lectura Secuencial | Hasta 550 MB/s |
| Velocidad de escritura secuencial | Hasta 500 MB/s |
| Memoria caché DRAM | No |
| Resistencia (TBW) | 200 TBW |
| Tiempo Medio Entre Fallas (MTBF) | 1.500.000 horas |
| Voltaje de Operación | CC 3.3 V |
| Temperatura de Operación | 0 °C a 70 °C |
| Tecnologías Soportadas | SMART / TRIM / ECC / Nivelación de desgaste |
